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BSL211SP L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：654pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSOP6-6; 包裝：剪切帶 (CT)

BSL211SP L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：654pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSOP6-6; 包裝：帶卷 (TR)

BSL211SP L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：654pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-74，SOT-457; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSOP6-6; 包裝：Digi-Reel®

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